Pin mặt trời hai mặt là loại pin mới do Đại học Quốc gia Australia chế tạo. Các nhà nghiên cứu đã sử dụng công nghệ pha tạp laser cụ thể để chế tạo các tế bào, cho phép đạt được hiệu suất chuyển đổi phía trước là 24,3% và hiệu suất chuyển đổi phía sau là 23,4%, đại diện cho hệ số hai mặt là 96,3%.
Nghiên cứu chính, TS Kean Chern Fong cho biết, pin mặt trời hai mặt có khả năng phát điện gần như đối xứng trên cả hai bề mặt của thiết bị. Khi được triển khai trên một trang trại năng lượng mặt trời thông thường, một tế bào hai mặt sẽ hấp thụ ánh sáng chiếu vào trực tiếp, đồng thời tận dụng sự phản xạ của mặt đất, có thể góp phần tạo ra thêm 30% năng lượng.
Các chuyên gia cho biết, loại pin mới có hiệu quả sản xuất điện là 29%, vượt xa pin silicon một mặt tốt nhất. Kết quả đã được kiểm chứng độc lập bởi Tổ chức Nghiên cứu Khoa học và Công nghiệp Australia (CSIRO).
Đây là một kỷ lục thế giới về pin mặt trời pha tạp laser có chọn lọc có hiệu suất cao nhất, dự kiến sẽ có thị phần trên 50% trong 5 năm tới.